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本发明公开了一种用于纳米栅制备的无损伤自终止刻蚀方法，涉及半导体器件制造技术领域；步骤为：对衬底材料进行清洗，利用热氧设备生长氧化物介质层；在氧化物介质层上设置顶部介质层；悬涂第一光刻胶，烘烤、曝光、显影；采用等离子体进行干法过刻蚀；清洗去...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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