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本发明公开了一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法，该方法主要是利用传统步进光刻机，采用涂胶曝光显影步骤，形成图形，并借助PECVD薄膜淀积技术和ICP刻蚀技术，将深亚微米侧壁图形保留，并进行转移，形成栅脚；而后采用传统光刻工艺方...
该专利属于中山德华芯片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中山德华芯片技术有限公司授权不得商用。

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