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本发明描述了制造具有无沟道发射极区域的太阳能电池的方法。在一个实例中，太阳能电池包括基板。薄电介质层被设置在基板背表面的一部分上。第一多晶硅发射极区域被设置在所述薄电介质层的第一部分上并掺有第一导电类型的杂质。第二多晶硅发射极区域被设置在所...
该专利属于太阳能公司所有，仅供学习研究参考，未经过太阳能公司授权不得商用。

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