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本发明公开了一种高质量p型氧化亚铜薄膜的制备方法，其步骤如下：将铜片清洗后用氮气吹干；再放在管式炉的石英管内，通入氩气做保护气体，以15℃/min的速度升温至1050‑1100℃，并保温一个小时；1050‑1100℃下，通入空气将铜片氧化，...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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