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本发明开发了从微电子器件除去本体和/或离子注入抗蚀剂材料的方法和组合物。所述组合物有效除去所述离子注入抗蚀剂材料，同时不损伤含硅或含锗材料。...
该专利属于安格斯公司;高级技术材料韩国股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安格斯公司;高级技术材料韩国股份有限公司授权不得商用。

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