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本发明公开了一种铌掺杂二氧化钛透明导电膜的制备方法及铌掺杂二氧化钛透明导电膜，该制备方法包括1)以氩气为等离子体气源，氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术在衬底上溅射沉积薄膜得半成品；溅射靶材中Nb的原子数为Nb、Ti原子总数的2％～8...
该专利属于郑州大学所有，仅供学习研究参考，未经过郑州大学授权不得商用。

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