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本发明公开一种磁敏器件及其制备方法，涉及光电子器件技术领域，为解决现有的磁敏器件制备过程困难，以及所制备的磁敏器件在形状和尺寸上均受到限制，适用范围较小的问题。所述磁敏器件包括：基材和设置在基材上的有机半导体结构，有机半导体结构包括层叠的空...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司授权不得商用。