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本发明属于薄膜制备领域。公开一种制备立方相三氧化二铈单晶薄膜的方法。该三氧化二铈为(Mn0.5Fe0.5)2O3结构，空间群为206。该方法包括：提供一单晶钨(110)衬底，并对其表面进行清洁处理，以获得原子级平整的表面；提供铈(Ce) 蒸...
该专利属于中国工程物理研究院材料研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院材料研究所授权不得商用。

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