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本发明专利公开了一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法，包括基底、二氧化硅下缓冲层、下层金电极、二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、钛扩散铌酸锂条波导、二氧化硅上缓冲层和上层金电极。本发明专利生产难度低、成品率高，并且显著降低了偏振控制器的器形...
该专利属于派尼尔科技（天津）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过派尼尔科技（天津）有限公司授权不得商用。

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