温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种磁隧道结结构，属于磁电子学技术领域。本发明磁隧道结结构包括以下几方面改进：导入超薄金属Mg层从而构成Mg/MgO/Mg三明治超晶格结构的绝缘势垒层；利用两种具有相反磁致伸缩特性的铁磁材料层所构成的超晶格结构作为钉扎型TMR结...
该专利属于南京工业大学;南京益得冠电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京工业大学;南京益得冠电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。