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一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管制造技术
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下载一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的技术资料
文档序号:13681720
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本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管,自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层,N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层,源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极,N型沟道层上方且靠近源极帽层的一...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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