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本发明涉及一种幅度可调的太赫兹近场激发型分子传感器及其制造方法。该分子传感器由半绝缘砷化镓衬底两侧分别设有太赫兹光电导天线和电磁谐振单元阵列构成，所述太赫兹光电导天线由两个T形电极呈镜像对称分布构成；每个T形电极的横轴部分为外电极，纵轴部分...
该专利属于上海师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海师范大学授权不得商用。

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