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本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，通过在多量子阱发光区的V‑pits上方填充钝化层/DBR/Al量子点的复合结构，钝化层阻挡电子和空穴扩散至V‑pits，降低V‑pits中缺陷的非辐射复合，而DBR将量子阱发出的光反射，防止光被V...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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