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本发明提供一种杂质导入方法，其以超过热力学平衡浓度的高浓度向杂质元素的扩散系数极小的固体材料导入杂质元素。杂质导入方法包括：以考虑到光脉冲的每1次的照射时间(τ)和光脉冲的能量密度F而确定的膜厚(tf)，在由固体材料构成的对象物(半导体基板...
该专利属于国立大学法人九州大学;富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人九州大学;富士电机株式会社授权不得商用。

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