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半导体模板及其制造方法技术
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文档序号:13638308
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本发明提供一半导体模板,其包含:一基板、一缓冲层及一磊晶层。缓冲层位于基板的一表面,且缓冲层包括一第一次缓冲层及一第二次缓冲层,两者依序相叠。缓冲层具有不规则的裂痕,使缓冲层具有不连续之上表面。裂痕的深度大于或等于第二次缓冲层的厚度,且小于...
该专利属于汉民科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过汉民科技股份有限公司授权不得商用。
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