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本发明涉及一种单芯片双向IGBT单管的封装结构，其包括单芯片双向IGBT器件、底部金属板、外部引脚和绝缘外壳；底部金属板覆盖并紧贴单芯片双向IGBT器件的第二发射极区设置；底部金属板与第二门极区保持适当绝缘间距；单芯片双向IGBT器件的各个...
该专利属于江西中能电气科技股份有限公司;湖南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江西中能电气科技股份有限公司;湖南大学授权不得商用。

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