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本发明一种全背电极接触晶硅太阳能电池结构及其制备方法，自上而下依次包括：减反射膜/钝化膜、正面N+掺杂层、N型硅基体、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极；其中，所述的背面掺杂层由N型掺杂区与P型掺杂区间隔交替排列而成；所述的电池电极包括阵列排...
该专利属于泰州乐叶光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰州乐叶光伏科技有限公司授权不得商用。

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