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本发明公开了一种光波导半导体器件的工艺方法，包含步骤：第1步，在硅衬底上淀积第一介质膜层；第2步，在第一介质膜层之上利用光刻胶定义出图形；第3步，对第一介质膜层进行刻蚀之后，去除光刻胶；第4步，淀积热氧化层，然后进行化学机械研磨；第5步，淀...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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