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本发明提供一种半导体装置，具有在碳化硅半导体区域中形成的IGBT以及FWD，其中，IGBT具备在碳化硅半导体区域的一个主面侧形成的发射极电极、基极区域、发射极区域、在碳化硅半导体区域的一个主面侧形成的集电极区域、集电极电极、与碳化硅半导体区...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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