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本发明涉及一种使用包含具有辅助特征图案的EUV掩模来获得用于在EUV光刻中曝光光致抗蚀剂的最优焦点的方法。本发明也涉及一种具有用于在EUV光刻中监测焦点的特定焦点测试目标的EUV掩模，和一种通过设计特定焦点测试目标而制造该EUV掩模的方法。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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