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本发明提供了一种多重提拉单晶硅的制造方法，包括：采用CZ法拉制单晶硅棒，拉制完一根晶体后进行再加料继续拉制下一根，再加料时，使用高纯石英管输送原料，通过激光二极管阵列照射石英坩埚内中间的多晶硅块料，使之熔化时间加快，减少熔体内原料在高温下的...
该专利属于上海超硅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超硅半导体有限公司授权不得商用。

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