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一种碳化硅半导体元件，包括，碳化硅基板生长于该碳化硅基板上的外延层基板；设于碳化硅基板上的半导体晶体管；设于所述碳化硅基板上的布线层；设于碳化硅基板底面的势垒金属区，以及由所述布线层和势垒金属区所形成的温度检测元件。...
该专利属于佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心授权不得商用。

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