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本发明公开了一种碳氧化硅薄膜的制备方法。通常方法制备的碳氧化硅呈颗粒状。本发明制备的碳氧化硅生长在金属基底表面，碳氧化硅与基底之间可以分离，分离后碳氧化硅薄膜可以转移至其它基底表面，该方法将增加碳氧化硅薄膜的应用范围。该方法制备的碳氧化硅薄...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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