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本发明公开了一种基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法，该方法包括如下步骤：选择底硅层厚度大于等于TSV圆片厚度的SOI圆片，并将SOI圆片的底硅层厚度减到TSV圆片厚度；在SOI圆片底硅层表面光刻出所需的TSV盲孔图形；并沿光刻出的TSV盲...
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