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一种凹嵌式发光单元制造技术
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文档序号:13582567
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一种凹嵌式发光单元,基材上设置有两个U形沟槽,基材为硅衬底,缓冲层成型在基材的表面及U形沟槽上,下化合物层成型在缓冲层上,量子阱层成型在下化合物层上,上化合物层成型在量子阱层上,量子阱层可以在下化合物层和上化合物层之间形成量子阱电载波,保护...
该专利属于河北易贝信息技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过河北易贝信息技术有限公司授权不得商用。
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