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本发明属于电子科学技术领域，涉及MEMS压电谐振器，具体提供一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器，包括振动块、四条支撑梁、四个支撑台及基底，所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区和输出端P型半导体区构成，所述输入端P型半导体区、输出端P...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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