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本发明提供了一种优化氮化镓HEMT器件跨导均匀性的方法，首先通过数值模拟及数据拟合得到AlxGa1‑xN下势垒层的最佳Al组份x值，该x值能使氮化镓HEMT器件的跨导均匀性达到最佳，即对输入信号具有较大动态范围的同时对输出信号也具有较高的增...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十研究所授权不得商用。

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