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本发明涉及晶体硅太阳能电池的制造技术，具体是一种PERC晶体硅太阳电池的背面多层镀膜方法。该方法包括以下步骤：a.在Si衬底背面使用ALD或PECVD法沉积Al2O3钝化膜；b.在Al2O3钝化膜上使用PECVD法在一次连续的沉积过程中沉积...
该专利属于晋能清洁能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晋能清洁能源科技有限公司授权不得商用。

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