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本发明实施例提供一种超结MOSFET的制作方法。该方法包括：在N型衬底的N型外延层上表面依次生长栅氧化层、多晶硅层、氧化层和氮化硅层；并进行光刻、刻蚀处理形成窗口；沿着窗口向N型外延层注入P型离子形成碗口状的P-区；从露出的N型外延层的上表...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。