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本发明涉及功率放大器的设计、制造，为实现在射频宽带范围内可以达到更大的输出功率和附加效率。本发明采用的技术方案是，GaN HEMT多级射频功率放大器设计方法及放大器，包括如下步骤：首先使用氮化镓功率管设计单管射频功率放大器，再利用功率管搭建...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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