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本发明公开了一种硫化铋半导体薄膜的制备方法，该制备方法是将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后，在保护气氛中进行热处理，即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜，该方法操作简单、成本低、重现性好、易于大规模连续生产，该方...
该专利属于中南大学所有，仅供学习研究参考，未经过中南大学授权不得商用。

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