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本实用新型涉及一种高静电耐量的IGBT模块，由多个IGBT芯片通过电路桥接封装形成；其中，在每个IGBT芯片的门极和发射极之间连接设置一外置电阻，用以将IGBT芯片中积蓄的静电能量释放。本实用新型能有效提高IGBT芯片的防静电能力，减低门极...
该专利属于富士电机（中国）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机（中国）有限公司授权不得商用。

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