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一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括PMOS区域和NMOS区域；在PMOS区域和NMOS区域上形成顶部具有掩膜层的栅极结构；在栅极结构侧壁表面形成第一侧墙；在半导体衬底表面、第一侧墙和掩膜层表面形成第二侧墙材料层和第三侧墙材料层...
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