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本发明公开的功率器件的CSP封装结构，该结构利用管芯与管芯之间的划片道和/或管芯四个角处的区域，用腐蚀或者划片的方法，将这些区域的外延层去掉，露出N+衬底，之后用溅射或蒸发的方法在芯片表面蒸镀一层金属以此将衬底的N+层引到表面，以此来实现C...
该专利属于上海朕芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海朕芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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