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单晶硅双面太阳电池及其制备方法技术
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文档序号:13466218
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本发明公开了一种单晶硅双面太阳电池,在单晶硅衬底(100)的正面依次形成正面制绒形貌结构(1)、正面PN发射结(2)、正面钝化减反介质层(3)以及正面电极(4),在单晶硅衬底的背面依次形成背面制绒形貌结构(5)、背表面场(6)、背面钝化减反...
该专利属于常州天合光能有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。
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