下载改善多晶硅退火工艺阻值均匀性的方法的技术资料

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本发明的改善多晶硅退火工艺阻值均匀性的方法,包括:提供一半导体衬底;在所述半导体衬底上沉积一多晶硅层,并对所述多晶硅层进行离子注入;以及进行退火过程,在所述退火过程中一直通入氮气;其中,所述退火过程包括进样过程,在所述进样过程中还通入氧气,...
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