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一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：在半导体衬底上形成并列排布的若干鳍部；在半导体衬底和鳍部上形成第一氧化硅层、及覆盖第一氧化硅层的缓冲应力层，缓冲应力层的材料能够避免缓冲应力层形成过程中的气体损伤鳍部；形成浅沟槽隔离...
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