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一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，第一区域部分基底上形成有第一伪栅，第二区域部分基底上形成有第二金属栅极，所述第一区域和第二区域基底表面形成有层间介质层；将部分厚度的第二金属栅极转化为金属氮化层，且在氮化处理过程中，部分第一伪栅转化...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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