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本发明公开了一种LDMOS的器件及其制造方法，通过取消漏端与栅极之间的STI结构，因此可极大降低Rdson，同时通过在漏端与栅极之间制备一金属层进而可有效调节漏电场，从而有效提高BV。本发明可在有效提高BV的同时还降低了Rdson，进而极大...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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