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本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，是通过将生长好石墨烯的衬底，与转移目标衬底粘结后，放置在湿氧环境中充分氧化。随着氧化的进行，在石墨烯与衬底之间逐渐形成了氧插层，降低了石墨烯与其生长衬底的结合力，从而减少了石墨烯在转移过程中受其结合力的...
该专利属于无锡格菲电子薄膜科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡格菲电子薄膜科技有限公司授权不得商用。

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