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一种掩模式只读存储器及其形成方法，其中形成方法包括：半导体衬底沿其厚度方向具有第一部分、第二部分，位于第一部分上且与第一部分接触的第二部分，第一部分具有第一型掺杂且沿第一方向分为隔离开的若干埋线；在埋线上的第二部分中形成沿第二方向隔离开的若...
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