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本发明公开了一种类提拉法单晶生长装置及方法，生长装置包括一个半圆形的加热炉膛和一个与加热炉膛相匹配的圆柱形的透明的生长安瓿，所述的加热炉膛包括炉膛内壳和绕在炉膛内壳上的加热炉丝；所述的生长安瓿的上方设置有与生长安瓿内部相通的抽气管，抽气管的...该专利属于中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心授权不得商用。