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本发明涉及半导体技术，特别涉及一种具有积累层的金属氧化物半导体二极管。该金属氧化物半导体二极管具有表面电子积累层结构和结型场效应管结构，可以获得较低的开启电压。二极管在正向导通后，由于与槽8相接触的N型半导体表面将形成体内电子积累层，同时采...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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