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描述垂直DMOSFET或IGBT的终止区（4），其中表面p环（10）与氧化物/多晶硅填充的沟槽（40）、掩埋p环（41）和可选的表面场板（11）组合，以便在终止区（4）中获得电势场线（7）的改进分布。表面环终止（10，11）和深环终止（41...
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