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本发明公开了一种碳纳米管神经元器件及其制作方法。所述碳纳米管神经元器件包括：衬底；在衬底上形成的绝缘层；碳纳米管，形成于绝缘层上方，其中碳纳米管包括位于两端的源区、漏区和位于源区和漏区之间的沟道区，源区和漏区掺杂成相同的导电类型；包围沟道区...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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