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一种硫化钨薄膜及其制备方法技术
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文档序号:13424633
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本发明属于无机纳米膜材料技术领域,提供了一种硫化钨薄膜的制备方法,包括以下步骤:在硅衬底上镀上一层厚度为一个原子的W层;在所述W层上镀上一层厚度为一个原子的S层;以及在所述S层上镀上另一层厚度为一个原子的W层,获得WS2薄膜;所述WS2薄膜...
该专利属于深圳大学所有,仅供学习研究参考,未经过深圳大学授权不得商用。
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