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有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法。本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供式I的前体：其中R1选自直链或支链C3‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C1‑C6二烷基氨基、吸电子基团和C...
该专利属于气体产品与化学公司所有，仅供学习研究参考，未经过气体产品与化学公司授权不得商用。

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