温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型提供一种半导体存储装置及其版图结构，通过在存储阵列外围使用接地的伪结构来代替现有技术中浮置悬空的伪结构，确保造成存储阵列边界行列的存储单元的工艺参数失配的信号及时传导至地，提高了存储阵列的存储单元之间的匹配性，从而减少了阵列边界行...该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。