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本申请题为“半导体装置的制造方法”。在包括氧化物半导体膜的晶体管中，形成与氧化物半导体膜接触并且覆盖源电极及漏电极的用来防止带电的金属氧化物膜，然后进行热处理。通过该热处理，从氧化物半导体膜中有意地去除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以高度...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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