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本发明提供一种优化结构的空腔型沟槽肖特基功率器件及其制造方法，其中，所述肖特基功率器件至少包括：基底及位于所述基底之上的外延层；位于所述外延层内的沟槽，其中，所述沟槽的底部为球形空腔；位于所述沟槽侧壁和所述球形空腔表面上的氧化层，其中，位于...
该专利属于中航（重庆）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航（重庆）微电子有限公司授权不得商用。

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